SK Hynix đạt được ưu thế công nghệ trong phân khúc NAND Flash

SK Hynix đang nhắm đến vị trí thống trị của Samsung trong thị trường NAND flash, khi công ty này được cho là đã vượt trội về công nghệ "xếp chồng tế bào" (cell stacking).

SK Hynix đã tạo ra không ít thử thách cho Samsung trong thị trường HBM (bộ nhớ băng thông cao). Mặc dù là một công ty "cỡ nhỏ", SK Hynix đã vượt qua Samsung trong việc giành được các đơn hàng từ các ông lớn AI như NVIDIA trong phân khúc HBM. Theo một thông báo từ BusinessKorea, SK Hynix hiện đã vượt qua Samsung về sự vượt trội trong công nghệ NAND, khi công ty này công bố thành công phát triển NAND flash 321 lớp đầu tiên trên thế giới, đánh dấu một bước ngoặt lớn cho công ty.

Chip NAND 321 lớp mới nhất của SK Hynix hứa hẹn mang lại sự cải thiện hiệu suất đáng kể trên thị trường, với tốc độ truyền tải dữ liệu cao hơn 12%, hiệu suất đọc cải thiện 13%, và tiết kiệm năng lượng cao hơn 10%, điều này chắc chắn giúp công nghệ flash này đứng đầu trong ngành. Gã khổng lồ Hàn Quốc cho biết, với chip NAND mới nhất, họ đã tăng số lớp lên 35% so với công nghệ trước đó và, điều thú vị là, đã vượt qua Samsung trong một lĩnh vực mà họ đã thống trị trong suốt nhiều năm qua.

Sau thông báo này, Samsung được cho là khá lo lắng về tiến độ của SK Hynix trên thị trường, khi công ty này được biết đến như là "người tiên phong" trong việc xếp chồng tế bào theo chiều dọc, làm tăng số lớp một cách đáng kể.

Tuy nhiên, với SK Hynix có khả năng dẫn đầu trong lĩnh vực này, sự thống trị của Samsung trong phân khúc NAND có thể sẽ bị thách thức. Tuy nhiên, sự vượt trội về công nghệ không phải là yếu tố duy nhất quan trọng ở đây, và chúng ta sẽ cùng thảo luận lý do tại sao.

Mặc dù sự dẫn đầu của SK Hynix trong phân khúc NAND là điều bất ngờ, nhưng điều quan trọng cần lưu ý là có được các dây chuyền sản xuất NAND hiệu quả cũng quan trọng không kém.

./.

M.P theo Wccftech