Samsung đang chuẩn bị sản xuất V-NAND 400 lớp sử dụng công nghệ liên kết dọc

V-NAND 400 lớp thế hệ tiếp theo của Samsung sẽ có khả năng lưu trữ nhiều dữ liệu hơn và đáng tin cậy hơn cho các giải pháp lưu trữ tiên tiến.

Cách đây một tháng, gã khổng lồ bán dẫn Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt V-NAND QLC thế hệ 9, nhằm cải thiện hiệu suất, dung lượng lưu trữ và độ tin cậy của các giải pháp lưu trữ thế hệ tiếp theo. Một thông tin gần đây cho thấy Samsung đã có kế hoạch đạt được hiệu suất cao hơn nữa với công nghệ V-NAND trong tương lai.

Công ty dự kiến sẽ ra mắt V-NAND thế hệ tiếp theo vào năm 2026. Đây là V-NAND thế hệ 10, dự kiến sẽ có cấu hình 400 lớp, vượt qua V-NAND thế hệ 9 hiện tại với 120 lớp. Sự gia tăng này là 43% trong một thế hệ, cao hơn nhiều so với khoảng cách giữa số lớp của V-NAND thế hệ 8 và 9 (236 so với 280 lớp).

Để đạt được số lượng lớp cao như vậy, Samsung sẽ áp dụng công nghệ Bonding Vertical (BV) NAND, khác với thiết kế CoP (Circuit on Periphery) hiện tại. Thiết kế CoP có các mạch ngoại vi ở trên cùng của ngăn nhớ, trong khi phương pháp liên kết dọc sẽ bắt đầu với việc sản xuất riêng các mạch lưu trữ và mạch ngoại vi, sau đó tiến hành liên kết theo chiều dọc.

Phương pháp này không chỉ giúp Samsung đạt được dung lượng cao hơn, mà còn giúp giảm thiệt hại mạch trong quá trình xếp chồng. Được biết, liên kết dọc sẽ giống với phương pháp Xtacking của YMTC và CBA (CMOS Bonded Array) của Kioxia-Western Digital. Với phương pháp này, mật độ bit có thể tăng gần 60%, từ đó tăng đáng kể dung lượng lưu trữ của các ổ đĩa trong cùng một không gian.

Tuy nhiên, Samsung không dừng lại ở đây. Công ty có kế hoạch đạt đến một nghìn lớp V-NAND, nhưng điều này có thể sẽ không xảy ra trước năm 2027. Điều này rất có thể sẽ được thực hiện trên V-NAND thế hệ 11, đánh dấu sự gia tăng vững chắc 2.5 lần trong số lượng lớp, giúp tăng tốc độ I/O lên đến 50%.

Trong lĩnh vực D-RAM, Samsung dự kiến sẽ phát hành một loại DRAM nhanh hơn và tốt hơn vào năm 2027. Nó sẽ dựa trên công nghệ 0a nm (<10nm) và sẽ sử dụng công nghệ VCT (Vertical Channel Transistor) để tăng dung lượng bộ nhớ của các mô-đun D-RAM. Với VCT, Samsung sẽ có thể thiết kế DRAM 3D bằng cách xây dựng các transistor theo chiều dọc, cuối cùng giảm thiểu sự can thiệp từ các ô liền kề.

./.

M.P theo Wccftech