Bộ nhớ HBM3E của Micron tăng dung lượng lên đến 36 GB

Micron dẫn đầu trong đổi mới bộ nhớ để đáp ứng các nhu cầu này và hiện đang vận chuyển HBM3E 12 lớp có khả năng sản xuất đến các đối tác quan trọng trong ngành để kiểm tra trên toàn hệ sinh thái AI.

HBM3E 12 lớp sở hữu dung lượng 36GB ấn tượng, tăng 50% so với các sản phẩm HBM3E 8 lớp hiện tại, cho phép chạy các mô hình AI lớn như Llama 2 với 70 tỷ tham số trên một bộ xử lý duy nhất. Sự gia tăng dung lượng này giúp giảm thời gian phân tích bằng cách tránh việc truyền tải CPU và trì hoãn giao tiếp GPU-GPU.

Micron HBM3E 12 lớp 36GB tiêu thụ điện năng thấp hơn đáng kể so với các giải pháp HBM3E 8 lớp 24GB của đối thủ. Micron HBM3E 12 lớp 36GB cung cấp băng thông bộ nhớ hơn 1.2 terabyte mỗi giây (TB/s) với tốc độ chân nối lớn hơn 9.2 gigabit mỗi giây (Gb/s). Những ưu điểm kết hợp của HBM3E mang lại thông lượng tối đa với mức tiêu thụ điện năng thấp nhất và có thể đảm bảo kết quả tối ưu cho các trung tâm dữ liệu tiêu thụ điện năng cao.

Ngoài ra, Micron HBM3E 12 lớp tích hợp MBIST (Memory Built-In Self-Test) hoàn toàn có thể lập trình, cho phép kiểm tra hệ thống với lưu lượng đại diện ở tốc độ đầy đủ của tiêu chuẩn, cung cấp phạm vi kiểm tra cải thiện để rút ngắn thời gian chứng nhận, tăng cường độ tin cậy của hệ thống và nâng cao thời gian ra thị trường.

Micron hiện đang vận chuyển các đơn vị HBM3E 12 lớp có khả năng sản xuất đến các đối tác quan trọng trong ngành để kiểm tra trên toàn hệ sinh thái AI. Cột mốc HBM3E 12 lớp này chứng minh những đổi mới của Micron để đáp ứng các yêu cầu dữ liệu khắt khe của cơ sở hạ tầng AI đang phát triển.

Micron cũng là một đối tác tự hào trong Liên minh 3DFabric của TSMC, giúp định hình tương lai của các đổi mới về chất bán dẫn và hệ thống. Sản xuất hệ thống AI là một quy trình phức tạp, và việc tích hợp HBM3E yêu cầu sự hợp tác chặt chẽ giữa các nhà cung cấp bộ nhớ, khách hàng, và các đối tác lắp ráp và kiểm tra chất bán dẫn gia công (OSAT).

./.

M.P theo Wccftech