Apple có thể dần chuyển sang sử dụng bộ nhớ flash NAND loại QLC

Apple đã từng tung ra phiên bản iPhone có bộ nhớ trong cao nhất là 1TB, nhưng với sự phát triển mạnh mẽ của trí tuệ nhân tạo, yêu cầu về video, cập nhật dữ liệu ứng dụng và nhiều lĩnh vực khác ngày càng tăng, công ty phải tìm cách để tăng dung lượng lưu trữ đó.

Apple có thể thành công trong việc này khi chuyển sang sử dụng bộ nhớ flash NAND loại QLC (quad-level cell). Dự kiến chuyển đổi có dung lượng lên đến 2TB này có thể ra mắt vào năm 2026.

Hiện nay, TrendForce tin rằng biến thể lưu trữ này sẽ thay thế công nghệ TLC (triple-level cell) hiện tại trên iPhone để cho phép Apple nâng dung lượng bộ nhớ trong lên đến 2TB. Tuy nhiên, mặc dù QLC có mật độ cao hơn TLC, nhưng tốc độ của nó lại chậm hơn.

Ngoài ra, do có nhiều cell hơn trong một ô, chúng cũng ít bền hơn, có nghĩa là chúng sẽ xử lý ít vòng ghi hơn so với TLC. Dự kiến Apple sẽ mang đến nhiều thay đổi cho iPhone 18, bao gồm cung cấp cảm biến camera 48MP từ Samsung, đe dọa độc quyền của Sony, và có thể giới thiệu vi xử lý 2nm đầu tiên nhờ sự hỗ trợ từ TSMC.

Apple cũng đang khám phá cách lưu trữ mô hình ngôn ngữ lớn (LLMs) bằng flash NAND thay vì RAM, điều này sẽ cho phép công ty chạy nhiều lệnh trên nhiều máy móc khác nhau, vì vậy việc chuyển sang bộ nhớ flash NAND QLC có thể giúp ích trong vấn đề này. Hiện tại, trí tuệ nhân tạo của Apple yêu cầu một Neural Engine có khả năng và tối thiểu 8GB RAM để chạy các tính năng AI trên thiết bị và trên đám mây.

./.

M.P theo Wccftech